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MRAM

大容量MRAM是高存儲密度的磁阻數(shù)據(jù)存儲器,由一個或多個MRAM基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應用于航空航天領域嵌入式計算機系統(tǒng)。


  產(chǎn)品特性


總容量:1M~64M;

訪問速度:最快達40ns;

數(shù)據(jù)寬度:8位,16位,32位,40位;

電源電壓:3.3V;

典型產(chǎn)品輻照指標:

TID: >50 kradSi

SEL: <75 Mev·cm2/mg

SEU: >15 Mev·cm2/mg

工作溫度:-45~95℃。

 

   產(chǎn)品列表


MRAM 存儲容量(bit)  存儲組織  電壓  訪問速度  抗輻射 封裝  溫度等級  篩選等級  質量等級 
TID 1) SEL 2) SEU 3)
1 VDMR1M08xS44xx1V35 1M 128k*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
2 VDMR2M16xS54xx2V35 2M 128k*16 3.3V 35ns  >50 <40 >75 SOP54 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
3 VDMR4M08xS44xx1V35 4M 512k*8 3.3V 40ns  TBD YBD TBD SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
4 VDMR4M08xS44xx4V35 4M 512k*8 3.3V 40ns  >50 >75 >15 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
5 VDMR4M16xS44xx1V35 4M 256k*16 3.3V 40ns  TBD TBD TBD SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
6 VDMR8M32xS68xx8V35 8M 256k*32 3.3V 40ns  >50 >80.3 >9.3,<14.2 SOP68 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
7 VDMR10M40xS96xx5V35 10M 256k*40 3.3V 40ns  >50 >80.3 >9.3,<14.2 SOP96 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
8 VDMR16M08xS44xx1V35 16M 2M*8 3.3V 40ns  >50 >75 >15 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
9 VDMR16M08xS54xx4V35 16M 2M*8 3.3V 40ns  TBD TBD TBD SOP54 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
10
VDMR20M40xS84xx5V35 20M 512k*40 3.3V 40ns  TBD TBD TBD SOP84 E,I ,S E,B ,S  EE,IB,SS 
11 VDMR64M08xS54xx4V35 64M 8M*8 3.3V 40ns  >50 >75 >15  SOP54  E,I,S  E,B,S EE,IB,SS 


1)、TID:Total DoseKrads(Si)

2)SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3)、SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

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