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MRAM
大容量MRAM是高存儲(chǔ)密度的磁阻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，由一個(gè)或多個(gè)MRAM基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>1M~64M;
訪問速度：最快達(dá)40ns；
數(shù)據(jù)寬度：8位，16位，32位，40位；
電源電壓：3.3V；
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: >50 krad（Si）
SEL: <75 Mev·cm2/mg
SEU: >15 Mev·cm2/mg
工作溫度：-45℃~95℃。
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產(chǎn)品列表 |
#
MRAM
存儲(chǔ)容量（bit）
存儲(chǔ)組織
電壓
訪問速度
抗輻射
封裝
溫度等級(jí)
篩選等級(jí)
質(zhì)量等級(jí)
TID 1)
SEL 2)
SEU 3)
1
VDMR1M08xS44xx1V35
1M
128k*8
3.3V
35ns
>60
<40
>37
SOP44
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
2
VDMR2M16xS54xx2V35
2M
128k*16
3.3V
35ns
>50
<40
>75
SOP54
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
3
VDMR4M08xS44xx1V35
4M
512k*8
3.3V
40ns
TBD
YBD
TBD
SOP44
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
4
VDMR4M08xS44xx4V35
4M
512k*8
3.3V
40ns
>50
＞75
>15
SOP44
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
5
VDMR4M16xS44xx1V35
4M
256k*16
3.3V
40ns
TBD
TBD
TBD
SOP44
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
6
VDMR8M32xS68xx8V35
8M
256k*32
3.3V
40ns
>50
＞80.3
>9.3,＜14.2
SOP68
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
7
VDMR10M40xS96xx5V35
10M
256k*40
3.3V
40ns
>50
＞80.3
>9.3,＜14.2
SOP96
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
8
VDMR16M08xS44xx1V35
16M
2M*8
3.3V
40ns
>50
＞75
>15
SOP44
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
9
VDMR16M08xS54xx4V35
16M
2M*8
3.3V
40ns
TBD
TBD
TBD
SOP54
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
10
VDMR20M40xS84xx5V35
20M
512k*40
3.3V
40ns
TBD
TBD
TBD
SOP84
E,I ,S
E,B ,S
EE,IB,SS
11
VDMR64M08xS54xx4V35
64M
8M*8
3.3V
40ns
＞50
＞75
＞15
SOP54
E,I,S
E,B,S
EE,IB,SS
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關(guān)下載 |
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| VDMR4M08xS44xx1V35 user manual.pdf | VDMR4M08xS44xx1V35 user manual.pdf |
| VDMR4M08xS44xx4V35 user manual.pdf | VDMR4M08xS44xx4V35 user manual.pdf |
| VDMR4M16xS44xx1V35 user manual.pdf | VDMR4M16xS44xx1V35 user manual.pdf |
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| 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf | 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf |
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