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NAND FLASH
大容量NANDFLASH是高存儲(chǔ)密度的閃存存儲(chǔ)器，由一個(gè)或多個(gè)NAND FLASH基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域的飛機(jī)、衛(wèi)星、飛船、車(chē)輛、地面裝備等的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。
|
產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>2G~2T;
訪問(wèn)速度：最快達(dá)25ns；
數(shù)據(jù)寬度：8位，16位，32位；
電源電壓：3.3V；
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: >60krad（Si）
SEL: >60 Mev·cm2/mg
SEU: 1.3 Mev·cm2/mg
工作溫度：-55℃~125℃。
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產(chǎn)品列表 |
|
# |
NAND FLASH |
存儲(chǔ)容量（bit） |
存儲(chǔ)組織 |
電壓 |
訪問(wèn)速度 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度等級(jí) |
篩選等級(jí) |
質(zhì)量等級(jí) |
||
|
|
|
|
|
|
|
TID 1) |
SEL 2) |
SEU 3) |
|
|
|
|
|
1 |
HKNF8G08VS48MM1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
—— |
—— |
—— |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
2 |
VDNF2G08xS48xx1V25 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
3 |
VDNF2T16xP193xx4V25 |
2T |
128G×16 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
PGA193 |
E,I,S |
E,B,S |
EE, IB, SS |
|
4 |
VDNF2T32xP193xx4V25 |
2T |
64G×32 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
PGA193 |
E,I,S |
E,B,S |
EE, IB, SS |
|
5 |
VDNF8G08xS48xx1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
6 |
VDNF8G08xS50xx1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
7 |
VDNF16G08XS50XX1V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
8 |
VDNF16G08xS50xx2V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
9 |
VDNF16G08xS50xx2V25-Ⅱ |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
10 |
VDNF16G08xS50xx4V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>50 |
>58 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
11 |
VDNF32G08XS50XX2V25 |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
12 |
VDNF32G08xS50xx4V25-Ⅱ |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
13 |
VDNF32G08xS50xx8V25 |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>50 |
>58 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
14 |
VDNF64G08xS50xx4V25 |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
15 |
VDNF64G08xS50xx8V25-Ⅱ |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>62.5 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
16 |
VDNF64G08xS50xx8V25-Ⅲ |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
17 |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>62.5 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
18 |
VDNF64G16xS58xx8V25-Ⅲ |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
19 |
VDNF64G16xS58xx8V25-II |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
20 |
VDNF128G08VS50IB8V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
—— |
—— |
—— |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
21 |
VDNF128G08xS48xx1V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
22 |
VDNF128G08xS50xx8V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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